Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияБелорусский государственный университет, 220050 Минск, Белоруссия + УП &#92;glqq Завод Транзистор&#92;grqq НПО &#92;glqq Интеграл&#92;grqq, 220064 Минск, Белоруссия * Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии на ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Отрицательная емкость (импеданс индуктивного типа) кремниевых p+-n-переходов, облученных быстрыми электронами

Поклонский Н.А., Шпаковский С.В., Горбачук Н.И., Ластовский С.Б.

Поклонский Н.А., Шпаковский С.В., Горбачук Н.И., Ластовский С.Б. Отрицательная емкость (импеданс индуктивного типа) кремниевых p+-n-переходов, облученных быстрыми электронами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 824

Аннотация Исследовались кремниевые диоды с p+-n-переходом, облученные быстрыми электронами (энергия E=3.5 МэВ, флюенс Phi=4·1016 см-2). Индуктивность диодов(L) измерялась на частоте f=1 МГц при амплитуде переменного тока0.25 мА. Одновременно с измерениемL на переменном токе через включенный в прямом направлении диод пропускался постоянный ток, что приводило к инжекции в базу неосновных носителей заряда. Для выяснения механизмов возникновения импеданса индуктивного типа в облученных диодах с p+-n-переходом, а также для идентификации основных радиационных дефектов, непосредственно принимающих участие в его возникновении, был проведен изохронный отжиг в диапазоне температур Ta=225-375oC с последующим исследованием основных характеристик дефектов методом нестационарной емкостной спектроскопии(DLTS). Показано, что импеданс индуктивного типа в облученных диодах определяется процессами захвата и удержания инжектированных в базу носителей заряда на центрах прилипания в течение времени~1/2f, т. е. полупериода колебаний. Показано также, что центрами прилипания являются комплексы вакансия--кислород, вводимые облучением. PACS:85.30.Kk, 73.40.Lq, 71.55.Cn, 61.80.Fe