Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 Организация+ Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, D-10623 Berlin, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Оптические исследования двумерного фотонного кристалла сквантовыми точками InAs/InGaAs вкачестве активной области

Блохин С.А., Усов О.А., Нащекин А.В., Аракчеева Е.М., Танклевская Е.М., Конников С.Г., Жуков А.Е., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М.

Блохин С.А., Усов О.А., Нащекин А.В., Аракчеева Е.М., Танклевская Е.М., Конников С.Г., Жуков А.Е., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М. Оптические исследования двумерного фотонного кристалла сквантовыми точками InAs/InGaAs вкачестве активной области // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 833

Аннотация Двумерный полупроводниковый фотонный кристалл с гексагональной решеткой субмикрометровых отверстий изготовлен путем травления планарной структуры GaAs/AlGaAs, содержащей квантовые точки InAs/InGaAs в волноводном слое. Путем анализа спектров отражения при различных углах падения и поляризации света определена структура фотонных зон. Фано-резонансы, обнаруженные в спектрах отражения при ТМ (ТЕ) поляризации вдоль направления симметрии Gamma-K (Gamma-M), связаны с резонансным взаимодействием оптически активных фотонных зон с падающим светом. Зонная структура радиационных мод утечки исследована путем измерения угловой зависимости интенсивности фотолюминесценции. Обнаруженное трехкратное увеличение интенсивности фотолюминесценции на резонансной частоте фотонного кристалла объяснено эффектом Пурселя. PACS: 42.70.Qs, 78.67.Hc, 78.66.Sq, 78.20.Ci