Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияИнститут физики полупроводников им.В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Параметр излучательной рекомбинации ивнутренний квантовый выход электролюминесценции вкремнии
Саченко А.В., Горбань А.П., Костылев В.П., Соколовский И.О. Параметр излучательной рекомбинации ивнутренний квантовый выход электролюминесценции вкремнии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 913
Аннотация
Изложены результаты анализа зависимости коэффициента излучательной рекомбинации в кремнии от уровня легирования и концентрации избыточных электронно-дырочных пар. Показано, что наряду с эффектом сужения ширины запрещенной зоны, рассчитанным в многоэлектронном приближении, необходимо учитывать и эффект экранирования кулоновского взаимодействия, приводящий к уменьшению энергии связи экситона. Оба эффекта действуют в одну сторону, приводя к уменьшению коэффициента излучательной рекомбинации при увеличении уровня легирования или уровня инъекции. Разделены вклады экситонной и зона-зонной излучательной рекомбинации в полный коэффициент излучательной рекомбинации в кремнии. Показано, что в области комнатных температур обе составляющие соизмеримы, в то время как при температуре жидкого азота экситонная составляющая доминирует. Приведены результаты уточненного расчета предельной величины внутреннего квантового выхода электролюминесценции кремниевых диодов и p-i-n-структур. Показано, что при комнатной температуре его величина может достигать14 процентов, однако это значение очень сильно уменьшается с ростом скорости поверхностной рекомбинации и с уменьшением объемного времени жизни. PACS: 78.60.Fi, 78.55.Ap, 72.20.Jv
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален