Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Белоруссия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние быстрого отжига наэлектрофизические свойства структурSiO2/Si стонкими слоями анодного оксида кремния

Баранов И.Л., Табулина Л.В., Становая Л.С., Русальская Т.Г.

Баранов И.Л., Табулина Л.В., Становая Л.С., Русальская Т.Г. Влияние быстрого отжига наэлектрофизические свойства структурSiO2/Si стонкими слоями анодного оксида кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 944

Аннотация Исследованы особенности влияния быстрого отжига на электрофизические характеристики структурSiO2/Si с тонкими слоями анодного оксида кремния (столщиной диэлектрических слоев ~10 нм), сформированных на подложках из монокристаллического кремния, в зависимости от полупроводниковых свойств кремниевой основы, длительности, температуры и среды термического воздействия. Определена оптимальная длительность высокотемпературного отжига этих структур в инертной среде для их использования в технологии наноразмерных МОП структур интегральных схем. PACS: 73.40.Qv, 81.65.Mq, 85.30.Tv