Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Сенсибилизация люминесценции вюрцитных кристалловGaN, легированныхEu идополнительно введенной примесьюZn
Криволапчук В.В., Мездрогина М.М., Кожанова Ю.В., Родин С.Н. Сенсибилизация люминесценции вюрцитных кристалловGaN, легированныхEu идополнительно введенной примесьюZn // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1033
Аннотация
Исследовалась возможность увеличения интенсивности внутрицентровых переходов ионаEu в кристаллахGaN путем введения дополнительной примеси для изменения локального окружения редкоземельного иона. Вюрцитные кристаллы p-GaN исходно были легированыMg, а затем--- европием. Введение дополнительной примесиZn приводит к существенному увеличению интенсивности фотолюминесценции в области 3580-4250 Angstrem и в длинноволновой области спектра5400-6237 Angstrem. Это можно объяснить проявлением сенсибилизации люминесценции оптически-активных внутрицентровых f-f-переходов Eu3+ вследствие введения дополнительной примеси, способствующей образованию комплексов редкоземельного иона с большим сечением захвата носителей заряда. PACS: 61.72.Vv, 61.72.Yx, 78.47.+p, 78.55.Cr
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален