Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия + Белорусский государственный университет информатики и радиоэ ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Поверхностно-барьерные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8: создание исвойства

Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Боднарь И.В.

Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Боднарь И.В. Поверхностно-барьерные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8: создание исвойства // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1054

Аннотация Выращены монокристаллы тройных соединений CuGa3Te5 иCuGa5Te8 и исследованы их физические свойства. На гомогенных кристаллах созданы первые фоточувствительные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8. Выполнены исследования фотоэлектрических свойств новых структур, определены параметры структур и новых полупроводников, сделан вывод о возможностях их применения в широкополосных фотопреобразователях неполяризованного излучения. PACS: 72.40.+v, 73.30.+y, 85.60.Gz