Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизический институт им.П.Н.Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние пассивации поверхности p-CdTe в(NH4)2Sx навольт-амперные характеристики контактов

Клевков Ю.В., Колосов С.А., Плотников А.Ф.

Клевков Ю.В., Колосов С.А., Плотников А.Ф. Влияние пассивации поверхности p-CdTe в(NH4)2Sx навольт-амперные характеристики контактов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1074

Аннотация Исследованы вольт-амперные характеристики контактов при температурах300 и77 K. Контакты были получены химическим осаждениемAu на поверхность(111) поликристаллического p-CdTe после травления в бром-метаноле и после пассивации в(NH4)2Sx. Показано, что пассивация поверхности заметно приближает вольт-амперные характеристики к линейным при300 K и лишь незначительно при77 K. Измерения низкотемпературной фотопроводимости образцов показали, что пассивация поверхности в(NH4)2Sx уменьшает плотность поверхностных состояний на границе металл-полупроводник. PACS: 73.40.Ns, 81.65.Ps