Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияБелорусский государственный университет, 220030 Минск, Белоруссия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Магнитное упорядочение в кристаллическомSi, имплантированном ионамиCo промежуточных флюенсов

Поклонский Н.А., Лапчук Н.М., Коробко А.О.

Поклонский Н.А., Лапчук Н.М., Коробко А.О. Магнитное упорядочение в кристаллическомSi, имплантированном ионамиCo промежуточных флюенсов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1181

Аннотация Исследовался кристаллическийSi, имплантированный ионами кобальта (флюенс Phi=1014-1016 см-2) с энергией380 кэВ. Методом резерфордовского обратного рассеяния определен порог аморфизацииSi (Phi= 3· 1014 см-2). При температуре T=78 K в имплантированномCo+ кремнии для Phi>=q3·1014 см-2 зарегистрирована квазирезонансная анизотропная линия электронного парамагнитного резонанса шириной порядка170 мТл. На фоне этой линии наблюдался резонансный сигнал парамагнитных центров аморфных областейSi (g=2.0057, delta B=0.74 мТл). Квазирезонансная линия электронного парамагнитного резонанса от атомовCo и собственных дефектовSi при T=300 K не наблюдалась. PACS: 61.72.Hh, 61.72.Tt, 76.30.Lh, 81.05.Cy, 81.40.Rs