Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Department of Electronic and Electrical Engeneering, University of Sheffield, S33JD Sheffield, UK + School of Physics and Astronomy, University of Nottingh ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Оптическое исследование резонансных состояний вGaNxAs1-x

Гуткин А.А., Брунков П.Н., Гладышев А.Г., Крыжановская Н.В., Берт Н.Н., Конников С.Г., Hopkinson M., Patane A., Eaves L.

Гуткин А.А., Брунков П.Н., Гладышев А.Г., Крыжановская Н.В., Берт Н.Н., Конников С.Г., Hopkinson M., Patane A., Eaves L. Оптическое исследование резонансных состояний вGaNxAs1-x // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1192

Аннотация Для обнаружения резонансных состояний в GaNxAs1-x предложено исследовать спектры собственной фотолюминесценции при комнатной температуре или высоких уровнях возбуждения, позволяющих заселить создаваемыми светом носителями высокоэнергетические состояния в разрешенных зонах. Спомощью этих методов в объемных слоях GaNxAs1-x (x=< 0.015) обнаружены состояния с энергетическими уровнями в зоне проводимости. Эти уровни создают полосу с полушириной около0.07 эВ, максимум плотности в которой при температуре 290 и80 К находится соответственно на~1.4 и~1.48 эВ выше потолка валентной зоны. Положение этого максимума относительно валентной зоны практически не зависит от содержания азота во всем исследованном диапазоне 0.0005=< x=< 0.015. Предполагается, что эти состояния связаны с различными кластерами атомов азота. PACS: 78.55.Cr; 71.20.Nr