Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Температурная зависимость фотолюминесценции нанокластеровCdS, сформированных вматрице пленки Ленгмюра--Блоджетт
Багаев Е.А., Журавлев К.С., Свешникова Л.Л.
Багаев Е.А., Журавлев К.С., Свешникова Л.Л. Температурная зависимость фотолюминесценции нанокластеровCdS, сформированных вматрице пленки Ленгмюра--Блоджетт // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1218
Аннотация В диапазоне температур 5--300 K исследована фотолюминесценция нанокластеров CdS, сформированных в матрице пленки Ленгмюра--Блоджетт. Спектр фотолюминесценции нанокристаллов при температуре5 K состоит из двух полос с максимумами при2.95 и2.30 эВ. Температурная зависимость положения максимума высокоэнергетической полосы фотолюминесценции отличается от температурной зависимости ширины запрещенной зоны объемного CdS. Интегральная интенсивность фотолюминесценции данной полосы спадает при температурах от5 до75 K, увеличивается в диапазоне 150--230 K и уменьшается при температурах выше230 K. Экспериментальные данные объяснены в рамках модели рекомбинации неравновесных носителей заряда в нанокластерах CdS с учетом транспорта носителей заряда в локально связанных нанокластерах различных размеров. Врамках модели получена оценка значения энергетической глубины ловушек для электронов, равного120 мэВ, а также значений энергии активации безызлучательной рекомбинации, составляющих около5 и100 мэВ. PACS: 73.20.Hb, 73.22.Df, 78.55.Et, 78.67. Bf, 78.55.Et, 81.05.Dz
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален