Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия * Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Спонтанное и стимулированное излучение из полупроводниковых пленок Cdx Hg1-x Te

Андронов А.А., Ноздрин Ю.Н., Окомельков А.В., Варавин В.С., Смирнов Р.Н., Икусов Д.Г.

Андронов А.А., Ноздрин Ю.Н., Окомельков А.В., Варавин В.С., Смирнов Р.Н., Икусов Д.Г. Спонтанное и стимулированное излучение из полупроводниковых пленок Cdx Hg1-x Te // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1300

Аннотация Приведены экспериментальные данные по наблюдению спонтанного и стимулированного излучения из тонких эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe при оптической накачке с помощью лазера Nd:YAG. Предложена простая теоретическая модель для описания возникновения инверсии заселенности в этих условиях. Проводятся теоретические оценки параметров в условиях экспериментов. PACS: 78.45.+h, 78.55.Et, 78.66.Hf