Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияЯрославский государственный университет им.П.Г.Демидова, 150000 Ярославль, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Прыжковая проводимость в мезопористом кремнии с малой пористостью, сформированном наp+-Si&lt; B&gt;

Зимин С.П.

Зимин С.П. Прыжковая проводимость в мезопористом кремнии с малой пористостью, сформированном наp+-Si< B> // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1385

Аннотация Исследована температурная зависимость электропроводности на постоянном токе в интервале110-400 K слоев мезопористого кремния, сформированных на(111)-ориентированных пластинах p+-Si<B> судельным сопротивлением0.03 Ом·см. Величина весовой пористости находилась в интервале18-30%. Показано, что в области температур ниже200 K выполняется классический закон прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка вблизи уровня Ферми. Анализ температурной зависимости удельного сопротивления в области более высоких температур (200-400 K) свидетельствует о наличии двух активационных участков с энергиями активации200-800 и600-1200 мэВ. Описанная температурная зависимость проводимости исследуемых образцов в широком интервале температур соответствует модели разупорядоченных полупроводников с мелкомасшабными флуктуациями. PACS: 72.20.Ee, 72.80.Ng