Профиль » Публикация

Аннотация Исследовалась гетероструктура n-GaAs/AlGaAs, \glqq недолегированная\grqq Si, в которой в отсутствие облучения проводимость в двумерном канале была при T=4.2 K меньше чем 10-8 Ом-1. Спомощью последовательного облучения светодиодом проводимость в гетероструктуре можно было увеличивать на 5порядков до~10-3 Ом-1, что давало возможность изучать переход металл--диэлектрик на одном и том же образце и при одной и той же температуре. Предложен новый метод исследования перехода металл--диэлектрик с помощью акустоэлектронных эффектов. Они были измерены при последовательном облучении образца без магнитного поля и в магнитном поле до6 Tл при T=4.2 K. Были определены реальнаяsigma1 и мнимаяsigma2 компоненты высокочастотной проводимости sigmahf=sigma1-isigma2 и их отношение sigma2/sigma1. Показано, что переход металл--диэлектрик имеет перколяционный характер. Обнаружено, что вплоть до sigma1~10-7 Ом-1 система находится в диэлектрическом состоянии, электроны локализованы в минимумах случайного потенциала. При этом осуществляется прыжковый механизм высокочастотной проводимости, характеризующийся соотношением sigma2>> sigma1. По мере увеличения концентрации электронов электронные капли становятся все большего размера, и в них возникает высокочастотная проводимость. Механизм проводимости становится смешанным: параллельно прыжковому механизму возникает проводимость делокализованных электронов в металлических каплях. При дальнейшем росте проводимости (более 10-5 Ом-1) металлические капли заполняют всю поверхность, и реализуется металлическое состояние, при котором sigma2=0. Построена кривая, демонстрирующая зависимость относительной части поверхности, занятой металлическими каплями, от проводимости двумерного канала. PACS: 72.20.Ee, 73.50.Rb, 73.21.La, 73.63.Kv