Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Brooklyn College of the City University of New York, USA ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Оптическое отражение ибесконтактное электроотражение от слоев GaAlAs спериодически расположенными квантовыми ямами GaAs

Чалдышев В.В., Школьник А.С., Евтихиев В.П., Holden T.

Чалдышев В.В., Школьник А.С., Евтихиев В.П., Holden T. Оптическое отражение ибесконтактное электроотражение от слоев GaAlAs спериодически расположенными квантовыми ямами GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1466

Аннотация В диапазоне энергий фотонов от1 до2 эВ проведены исследования оптического отражения и электроотражения от слоев AlGaAs с периодически расположенными квантовыми ямами GaAs различной толщины. Установлено, что спектральная зависимость коэффициента отражения содержит три основных вклада: отражение от границы воздух-среда; интерференционное отражение, обусловленное периодической модуляцией коэффициента преломления из-за различий его значений для материалов ям и барьеров; отражение, связанное с взаимодействием электромагнитных волн с экситонными состояниями в квантовых ямах. Исследование спектров отражения показало, что эти вклады имеют различные зависимости от температуры, угла падения и поляризации, однако количественное разделение различных вкладов весьма затруднительно. Для выделения в оптических спектрах вклада, обусловленного взаимодействием света с экситонными состояниями, разработан подход на основе бесконтактного измерения спектров оптического электроотражения. Показано, что применение такой методики позволяет определить параметры экситонных состояний в квантовых ямах. PACS: 78.67.De, 73.21.Fg, 78.40.Fy