Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияРоссийский государственный педагогический университет, 191186 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электрофизические свойства истроение халькогенидных стекол, включающих двухвалентное олово

Бордовский Г.А., Кастро Р.А., Серегин П.П., Теруков Е.И.

Бордовский Г.А., Кастро Р.А., Серегин П.П., Теруков Е.И. Электрофизические свойства истроение халькогенидных стекол, включающих двухвалентное олово // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 23

Аннотация Методом мессбауэровской и фотоэлектронной спектроскопии в стеклах (As2Se3)1-z(GeSe)z-x(SnSe)x идентифицированы два валентных состояния атомов олова и показано, что присутствие двухвалентного олова в структурной сетке стекла не приводит к появлению примесной проводимости и примесного оптического поглощения. Предлагается рассматривать стекла (As2Se3)1-z(GeSe)z-x(SnSe)x и (As2Se3)1-z(GeSe2)z-x(SnSe2)x как полупроводниковые твердые растворы, электрофизические свойства которых зависят как от электрофизических свойств исходных компонентов, так и от состава твердых растворов. PACS: 76.80.+y, 78.20.Ci, 78.66.Jg, 61.43.Fs