Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03025 Киев, Украина * Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Механизмы рекомбинации неравновесных носителей вэпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe (x=0.20-0.23)

Икусов Д.Г., Сизов Ф.Ф., Старый С.В., Тетеркин В.В.

Икусов Д.Г., Сизов Ф.Ф., Старый С.В., Тетеркин В.В. Механизмы рекомбинации неравновесных носителей вэпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe (x=0.20-0.23) // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 134

Аннотация На основании измерений температурных зависимостей фоточувствительности и времени жизни неравновесных носителей в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe с x=0.20-0.23 показано, что в пленках n-типа проводимости, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в области собственной и примесной проводимости доминирует оже-рекомбинация типа CHCC. Вто же время в пленках p-типа, выращенных методами жидкофазной и парoфазной эпитаксии, в области примесной проводимости наблюдается конкуренция оже-рекомбинации CHLH и рекомбинации Шокли--Рида. Пленки n-типа, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, имеют гораздо меньшую концентрацию рекомбинационных центров по сравнению с пленками p-типа, выращенными методами жидкофазной и парoфазной эпитаксии. PACS: 72.40.+w, 73.50.Cr