Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2004-05-25 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия[4mm] Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналПисьма в ЖЭТФ


Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из p-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством
А. А. Пахневич, В. В. Бакин, А. В. Язьков, Г. Э. Шайблер, С. В Шевелев, О. Е. Терещенко, А. С. Ярошевич, А. С. Терехов
А. А. Пахневич, В. В. Бакин, А. В. Язьков, Г. Э. Шайблер, С. В Шевелев, О. Е. Терещенко, А. С. Ярошевич, А. С. Терехов. Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из p-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством // Письма в ЖЭТФ, том 79, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru
Аннотация Изучены энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных в вакуум из валентной зоны и из локализованных состояний в запрещенной зоне p-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством. Показано, что на низкоэнергетическом пороге внешнего фотоэффекта доминирующим механизмом фотоэмиссии является фототермическое возбуждение электронов из локализованных состояний в запрещенной зоне p-GaN(Cs,O), лежащих ниже уровня Ферми.
 http://www.jetpletters.ac.ru/ps/341/article_5390.pdf
Показать статистику
Похожие публикации

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален