Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияРостовский военный институт ракетных войск, 344027 Ростов-на-Дону, Россия ЖурналЖурнал Технической Физики

Влияние термоэлектронной эмиссии на&nbsp;поглощение ультракоротких лазерных импульсов в&nbsp;полупроводниках

Лобзенко П.В., Евтушенко Н.А., Новиков В.А., Иришин Р.Г.

Лобзенко П.В., Евтушенко Н.А., Новиков В.А., Иришин Р.Г. Влияние термоэлектронной эмиссии на поглощение ультракоротких лазерных импульсов в полупроводниках // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 1, Стр. 72

Аннотация Рассмотрено взаимодействие интенсивных ультракоротких лазерных импульсов с поверхностью полупроводника с учетом влияния термоэлектронной эмиссии на динамику температур электронной и ионной подсистем полупроводниковой среды. Определены параметры и условия короткоимпульсных воздействий, при которых необходимо учитывать данное явление. Численно реализована полученная расчетная схема, позволяющая решить задачу в трехмерной постановке.