Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияСаратовский государственный университет им.&nbsp;Н.Г.&nbsp;Чернышевского, 410026 Саратов, Россия e-mail: semiconductor@sgu.ssu.runnet.ru ЖурналЖурнал Технической Физики

Диффузионная модель деградационной стойкости гетерогенной фотопроводящей системы

Бухаров В.Э., Роках А.Г., Стецюра С.В.

Бухаров В.Э., Роках А.Г., Стецюра С.В. Диффузионная модель деградационной стойкости гетерогенной фотопроводящей системы // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 2, Стр. 93

Аннотация Показано, что в гетерогенных полупроводниковых материалах возбуждение электронной подсистемы приводит к геттерированию (аккумуляции) дефектов в областях с малым коэффициентом их диффузии. Это связано с тем, что широкозонная (рабочая) область материала приобретает повышенный коэффициент диффузии, а в узкозонной (области стоков) он остается низким. Рассматриваемое явление приводит к повышению радиационной стойкости гетерогенного материала. Полученный результат проиллюстрирован на примере системы CdS--PbS, образующей ограниченный ряд твердых растворов.