Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Physics Department, Chalmers University of Technology, S-41296 Goteborg, Sweden ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Эпитаксиальные гетероструктуры сверхпроводник--сегнетоэлектрик для&nbsp;настраиваемых СВЧ-элементов

Бойков Ю.А., Иванов З.Г., Клаесон Т.

Бойков Ю.А., Иванов З.Г., Клаесон Т. Эпитаксиальные гетероструктуры сверхпроводник--сегнетоэлектрик для настраиваемых СВЧ-элементов // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 2, Стр. 222

Аннотация Исследованы особенности формирования эпитаксиальных гетероструктур, включающих тонкие пленки YBa2Cu3O7-delta и SrTiO3, на R-плоскости сапфира. Тонкий слой CeO2 и эпитаксиальная комбинация CeO2/SrBi2Nb2O9 были использованы в качестве буферных прослоек. Существенные различия наблюдались в температурных зависимостях varepsilon для пленки SrTiO3 в случае конденсаторных структур YBa2Cu3O7-delta/SrTiO3/YBa2Cu3O7-delta и Ag/SrTiO3/YBa2Cu3O7-delta. Двухкратное уменьшение varepsilon в пленке SrTiO3 наблюдалось при приложении внешнего напряжения смещения Ub=±2.5 V в случае плоскопараллельной конденсаторной структуры YBa2Cu3O7-delta/SrTiO3/YBa2Cu3O7-delta (T