Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *&nbsp;Институт твердого тела им.&nbsp;Макса Планка, Германия **&nbsp;Институт электроники твердого тела им.&nbsp;Пауля Д ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Исследование резонансного туннелирования экситонов в&nbsp;сверхрешетках GaAs/AlAs в&nbsp;электрическом поле методом рамановской спектроскопии

Сапега В.Ф., Руф Т., Кардона М., Гран Х.Т., Плоог К.

Сапега В.Ф., Руф Т., Кардона М., Гран Х.Т., Плоог К. Исследование резонансного туннелирования экситонов в сверхрешетках GaAs/AlAs в электрическом поле методом рамановской спектроскопии // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 827

Аннотация Методом резонансного рамановского рассеяния света на акустических фононах изучено влияние электрического поля на состояния экситонов в сверхрешетке GaAs/AlAs. При совпадении энергии возбуждающего фотона с энергией экситона, связанного с состояниями Ванье--Штарка тяжелой дырки и электрона с Delta n=0,±1 обнаружено резонансное усиление рамановского рассеяния света на акустических фононах. Осцилляции интенсивности рамановского спектра в электрическом поле объясняются резонансной делокализацией основного состояния экситона при взаимодействии с состояниями Ванье--Штарка соседних квантовых ям или с состояниями Ванье--Штарка вышележащей электронной минизоны.