Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия *&nbsp;Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия **&nbsp;Физико-технический институт им.&nbsp; ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Рентгеноспектральный микроанализ четверных полупроводниковых твердых растворов и&nbsp;его применение к&nbsp;системе (SnTe--SnSe) : In

Мошников В.А., Мошников А.В., Немов С.А., Парфеньев Р.В., Румянцева А.И., Черняев А.В.

Мошников В.А., Мошников А.В., Немов С.А., Парфеньев Р.В., Румянцева А.И., Черняев А.В. Рентгеноспектральный микроанализ четверных полупроводниковых твердых растворов и его применение к системе (SnTe--SnSe) : In // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 4, Стр. 612

Аннотация Разработана надежная методика локального определения химического состава многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов и проверена возможность ее применения к системе четверных твердых растворов SnTe--SnSe, легированных 16 at% In. Изучено поведение электрического сопротивления образцов данных твердых растворов при низких температурах 0.4--4.2 K. Определены критическая температура Tc и второе критическое магнитное поле Hc2 сверхпроводящего перехода и их зависимости от состава твердых растворов. Сверхпроводящий переход с Tc~ 2-3 K обусловлен заполнением дырками резонансных состояний примеси In, наблюдаемое изменение параметров сверхпроводящего перехода при увеличении содержания Se в твердом растворе связывается со взаимным смещением экстремумов валентной зоны и полосы резонансных состояний In.