Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут ядерных исследований Академии наук Украины, 252650 Киев, Украина E-mail: vvmih@ukrpack.net ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Образование сверхрешеток плотности дефектов в бинарных соединениях при ядерном облучении

Михайловский В.В., Расселл К.С., Сугаков В.И.

Михайловский В.В., Расселл К.С., Сугаков В.И. Образование сверхрешеток плотности дефектов в бинарных соединениях при ядерном облучении // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 3, Стр. 471

Аннотация Исследуется проявление антиструктурных дефектов в кристаллах под облучением. Расчеты показывают, что концентрация таких дефектов может быть велика при типичных значениях интенсивности облучения и температуры. Показано, что накопление антиструктурных дефектов и взаимодействие между ними может привести к неустойчивости системы во время облучения по отношению к пространственно неоднородным возмущениям. Неустойчивость приведет к периодической модуляции плотности антиструктурных дефектов. Получена область неустойчивости в зависимости от параметров кристалла и облучения. Работа выполнена при содействии Фонда фундаментальных исследований Министерства наук Украины и Фонда гражданских исследований и развития США (грант N UE2-319).