Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут проблем материаловедения Академии наук Украины, 03142 Киев, Украина * Институт математики, Университет Ополе, 45-052 Ополе, Польша E-mail: glin@materials.kiev.ua ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Расчет фазовых диаграмм твердых растворов сегнетоэлектриков

Глинчук М.Д., Елисеев Е.А., Стефанович В.А.

Глинчук М.Д., Елисеев Е.А., Стефанович В.А. Расчет фазовых диаграмм твердых растворов сегнетоэлектриков // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 5, Стр. 882

Аннотация Предложены интегральные уравнения для вычисления температур сегнето- и антисегнетоэлектрических фазовых переходов, параметров порядка и критических концентраций компонент твердых растворов. Электрические диполи, произвольно распределенные в системе, рассматривались как источники случайных полей. Функция распределения этих случайных полей была построена с учетом вклада нелинейных эффектов и различия в ориентации диполей разных компонент твердого раствора. Рассчитана зависимость температур фазовых переходов от состава двухкомпонентного твердого раствора для систем сегнетоэлектрик--антисегнетоэлектрик и сегнетоэлектрик--параэлектрик. Численный расчет проведен для PbTixZr1-xO3 и BaZrxTi1-xO3. Полученные результаты совпадают с экспериментальными фазовыми диаграммами данных систем. Проведенное рассмотрение предсказывает, что любой твердый раствор, содержащий сегнетоэлектрическую (антисегнетоэлектрическую) и параэлектрическую компоненты, переходит в релаксорное состояние при достаточно больших концентрациях параэлектрической компоненты.