Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияКиевский национальный университет им. Т.&nbsp;Шевченко, 01033 Киев, Украина * Физико-технический институт низких температур Национальной академии наук Украины, 61164 Харьков, Украина ** LMMM, СNRS Laboratory, Meudon, France ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Особенности электро- ифотопроводимости марганцево-германиевых гранатов

Гнатченко C.Л., Давиденко И.И., Давиденко Н.А., Девин Дж.М.

Гнатченко C.Л., Давиденко И.И., Давиденко Н.А., Девин Дж.М. Особенности электро- ифотопроводимости марганцево-германиевых гранатов // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 1, Стр. 87

Аннотация Впервые исследованы особенности электро- и фотопроводимости кристаллических образцов марганец-германиевых гранатов в диапазоне температур 4.2--370 K. При облучении образцов с омическими контактами видимым светом фототок в этих образцах наблюдается только при высоких температурах и имеет различные характерные времена нарастания и релаксации после выключения света. Сделан вывод о том, что электро- и фотопроводимость определяются электрической перезарядкой ионов марганца. Генерация и транспорт носителей заряда контролируются центрами с электрическими неоднородностями и мелкими уровнями прилипания. Исследования выполнены при частичной финансовой поддержке гранта INTAS (N 97-0366).