Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут проблем машиноведения Российской академии наук, 199178 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им. &nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ** Фонд поддержки науки и&nbsp;образования ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Механизм икинетика начальных стадий роста пленкиGaN

Кукушкин С.А., Бессолов В.Н., Осипов А.В., Лукьянов А.В.

Кукушкин С.А., Бессолов В.Н., Осипов А.В., Лукьянов А.В. Механизм икинетика начальных стадий роста пленкиGaN // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 7, Стр. 1337

Аннотация Изложены результаты теоретического анализа процессов роста на стадиях зарождения и оствальдовского созревания островков GaN в интервале температур 480-1000oC на поверхности подложки, покрытой буферным слоем AlN. Показано следующее. (1) При температурах (T>650oC) рост отровков контролируется химической реакцией образования молекул нитрида галлия вдоль контура поверхности островка. Зарождающиеся в этой температурной области островки имеют широкий спектр размеров. (2) При температурах (T