Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт низких температур и&nbsp;структурных исследований Польской академии наук, 50-950 Вроцлав, Польша ** Отделение материалов О ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Теплопроводность HgSe, введенного врешетку пустот монокристалла синтетического опала

Богомолов В.Н., Картенко Н.Ф., Курдюков Д.А., Парфеньева Л.С., Попов В.В., Сорокин Л.М., Смирнов И.А., Мисиорек Х., Ежовский А., Хатчисон Дж.

Богомолов В.Н., Картенко Н.Ф., Курдюков Д.А., Парфеньева Л.С., Попов В.В., Сорокин Л.М., Смирнов И.А., Мисиорек Х., Ежовский А., Хатчисон Дж. Теплопроводность HgSe, введенного врешетку пустот монокристалла синтетического опала // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 3, Стр. 535

Аннотация Приготовлены образцы нанокомпозита \glqq опал+HgSe\grqq с 100% заполнением пустот первого порядка опала селенидом ртути. В интервале температур T=5-200 K измерены эффективные теплопроводность (varkappaeff) и удельное электросопротивление (rhoeff), а в интервале 80--300 K --- коэффициент термоэдс (alpha). Показано, что величина alpha HgSe в опале остается такой же, как и в объемных образцах селенида ртути с близкими значениями концентраций носителей тока. При этом у HgSe в опале не изменяется и механизм рассеяния носителей тока. Из varkappaeff и rhoeff выделены полная теплопроводность (varkappa0tot), удельное электросопротивление (rho0) и определены электронная (varkappa0e) и решеточная (varkappa0ph) составляющие теплопроводности для HgSe в опале. Во всем исследованном интервале температур (5--200 K) величина varkappa0ph оказалась значительно меньше, чем varkappaph для объемного HgSe с той же концентрацией носителей тока. При T>20 K такое поведение varkappa0ph(T) объясняется наличием специфических примесей и дефектов, возникающих в HgSe, а при T