Профиль » Публикация
Опубликовано
2003-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: travn@spectr.ioffe.rssi.ru
ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"
Спектры резонансного рамановского рассеяния вструктуре ZnCdSe / ZnSe сквантовой ямой иоткрытыми нанопроволоками
Кайбышев В.Х., Травников В.В., Давыдов В.Ю. Спектры резонансного рамановского рассеяния вструктуре ZnCdSe / ZnSe сквантовой ямой иоткрытыми нанопроволоками // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 7, Стр. 1311
Аннотация
При T=300 K исследованы спектры резонансного рамановского рассеяния (РР) в образце ZnCdSe / ZnSe, в котором одновременно присутствуют одиночная квантовая яма и открытые нанопроволоки, изготовленные на ее основе. Энергии продольных оптических (LO) фононов, принимающих участие в формировании наблюдаемых спектров, в области квантовой ямы и в области образца с нанопроволоками заметно различаются. Выполнен расчет энергии LO-фононов в исследованных структурах с учетом влияния композиционного эффекта (введение Cd в ZnSe) и эффекта биаксиального напряжения. Показано, что при возбуждении в области экситонного резонанса РР происходит через свободные (протяженные) экситонные состояния на LO-фононах напряженного слоя ZnCdSe с конечными волновыми векторами вблизи центра зоны Бриллюэна. При возбуждении ниже экситонного резонанса слоя ZnCdSe заметный вклад в наблюдаемые линии РР вносят процессы резонансного рассеяния через состояния локализованных экситонов. В таких процессах рассеяния за счет конечных размеров локализованного состояния принимают участие фононы с большими волновыми векторами. При возбуждении в экситонной области толстых слоев барьера наблюдаемые линии PP формируются за счет рассеяния на фононах барьера ZnSe.\labelp254
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален