Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут химических проблем микроэлектроники, 109017 Москва, Россия * ФГУП &#92;glqq Гиредмет&#92;grqq, 109017 Москва, Россия E-mail: icpm@mail.girmet.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Влияние состава твердого раствора на высокотемпературную микротвердость гетероэпитаксиальных слоев SiGe, выращенных наподложках Ge иSi

Меженный М.В., Мильвидский М.Г., Югова Т.Г.

Меженный М.В., Мильвидский М.Г., Югова Т.Г. Влияние состава твердого раствора на высокотемпературную микротвердость гетероэпитаксиальных слоев SiGe, выращенных наподложках Ge иSi // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1641

Аннотация Исследовано влияние состава эпитаксиальных слоев (ЭС) твердого раствора (TP) SixGe1-x, выращенных на Ge- и Si-подложках, на микротвердость и длину дислокационных розеток, образующихся вокруг отпечатков индентора (при гомологической температуре 0.5Tmelt для соответствующего сплава). Для ЭС ТР SixGe1-x/Ge (0=<q x