Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия * Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия E-mail: gavr@i ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Переходы с участием мелких примесей вспектрах субмиллиметрового магнитопоглощения в напряженных квантово-размерных гетероструктурах Ge / GeSi(111)

Алешкин В.Я., Векслер Д.Б., Гавриленко В.И., Ерофеева И.В., Иконников А.В., Козлов Д.В., Кузнецов О.А.

Алешкин В.Я., Векслер Д.Б., Гавриленко В.И., Ерофеева И.В., Иконников А.В., Козлов Д.В., Кузнецов О.А. Переходы с участием мелких примесей вспектрах субмиллиметрового магнитопоглощения в напряженных квантово-размерных гетероструктурах Ge / GeSi(111) // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, Стр. 126

Аннотация В спектрах субмиллиметрового (f=130-1250 GHz) магнитопоглощения в напряженных многослойных гетероструктурах Ge / GeSi(111) с квантовыми ямами при межзонной оптической подсветке при T=4.2 K обнаружены линии, связываемые с возбуждением остаточных мелких акцепторов. Наблюдаемое резонансное поглощение может быть обусловлено оптическими переходами между примесными состояниями, связанными с двумя парами уровней Ландау дырок в квантовых ямах в слоях Ge. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 03-02-16808), Минпромнауки РФ и ФЦП \glqq Интеграция\grqq (проект N Б0039 / 2102).