Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияКиевский национальный университет им. Т.&nbsp;Шевченко, 01033 Киев, Украина * Институт органической химии Национальной академии наук Украины, 02094 Киев, Украина ** Национальный технический университет Украины (КПИ), 03056 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Фотогенерация дырок и электронов ваморфных молекулярных полупроводниках

Давиденко Н.А., Кувшинский Н.Г., Студзинский С.Л., Чуприн Н.Г., Деревянко Н.А., Ищенко А.А., Аль-Кадими А.Д.

Давиденко Н.А., Кувшинский Н.Г., Студзинский С.Л., Чуприн Н.Г., Деревянко Н.А., Ищенко А.А., Аль-Кадими А.Д. Фотогенерация дырок и электронов ваморфных молекулярных полупроводниках // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 7, Стр. 1309

Аннотация Исследованы фотопроводящие свойства аморфных молекулярных полупроводников на основе пленок полистирола, допированных эпоксипропилкарбазолом и катионным полиметиновым красителем, тетранитрофлуореноном и анионным полиметиновым красителем. Первый тип пленок имеет дырочную проводимость, второй --- электронную. Для второго типа пленок в отличии от первого с уменьшением длины волны света из области поглощения красителей обнаружено уменьшение энергии активации фотогенерации подвижных носителей заряда. Проведен анализ возможных механизмов влияния энергии кванта света возбуждения на начальное расстояние между носителями заряда в электронно-дырочных парах. Сделан вывод, что при невысоких скоростях рассеивания избытка тепловой энергии от возбужденных молекул красителя из-за электрон-ядеpного взаимодействия фотогенерированные электроны имеют возможность уйти от центра фотогенерации на большие расстояния по сравнению с дырками.