Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия * Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия ** Физико-технический институт им. А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии на ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Дихроизм пропускания света массивом квантовых проволок GaAs, самоформирующихся на нанофасетированной поверхности (311)A

Володин В.А., Ефремов М.Д., Матвиенко Р.С., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Леденцов Н.Н., Сошников И.Р., Литвинов Д., Розенауэр А., Герцен Д.

Володин В.А., Ефремов М.Д., Матвиенко Р.С., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Леденцов Н.Н., Сошников И.Р., Литвинов Д., Розенауэр А., Герцен Д. Дихроизм пропускания света массивом квантовых проволок GaAs, самоформирующихся на нанофасетированной поверхности (311)A // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 2, Стр. 354

Аннотация Дихроизм пропускания света (зависимость пропускания от направления поляризации) был обнаружен в гофрированных сверхрешетках GaAs/AlAs, выращенныx на нанофасетированной поверхности (311)А. Наблюдаемый эффект связывается со структурной анизотропией --- формированием массива квантовых проволок GaAs, что было подтверждено данными высокоразрешающей электронной микроскопии. В сверхрешетках GaAs/AlAs, содержащих квантовые проволоки, была обнаружена также поляризационная анизотропия фотолюминесценции, наблюдаемой в желто-красном диапазоне длин волн.