Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Об электрических и фотоэлектрических свойствах структуры Pd-- p0-Si--p-Si с разупорядоченным промежуточным p0-слоем

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В., Мередов М.М., Язлыева А.И.

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В., Мередов М.М., Язлыева А.И. Об электрических и фотоэлектрических свойствах структуры Pd-- p0-Si--p-Si с разупорядоченным промежуточным p0-слоем // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 15

Аннотация Проведены измерения электрических характеристик и фотоэдс на диодных структурах Pd--p0-Si--p-Si с разупорядоченным (пористым) p0-слоем Si. Предполагаемый механизм токопереноса--- двойная инжекция электронов и дырок в p0-слой. В атмосфере водорода фотоэдс возрастает в 20 раз; обратный ток падает в 3--4раза. Рост фотоэдс связан с ростом барьера Шоттки Pd--p0-Si, а падение темнового тока--- с изменением коэффициента инжекции электронов. Релаксация фотоэдс после выключения потока H2 имеет два временных интервала длительностью порядка 130 и 420 с. Показано, что эти особенности релаксации связаны с гетерогенностью структуры p0-слоя, включающего в себя как неанодизированные участки, так и пористые. Эти области структуры содержат свой набор глубоких центров захвата и рекомбинации, и этот набор может изменяться под действием водорода, создающего индуцированные "временные" глубокие уровни.