Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Фоточувствительность гетерограницы пористый кремний--кремний
Астрова Е.В., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Астрова Е.В., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фоточувствительность гетерограницы пористый кремний--кремний // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 159
Аннотация Представлены результаты экспериментальных исследований фотоэлектрических свойств гетерограницы пористого и монокристаллического кремния. Получены выпрямляющие гетероструктуры с фоточувствительностью до 1 мА/Вт при 300 K в области спектра 1.2/2.3 эВ. Обнаружены осцилляции фототока, указывающие на интерференцию излучения в слоях пористого кремния. Оценен показатель преломления пористого кремния. Исследована поляризационная зависимость фоточувствительности гетероструктуры.
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален