Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия &#36;Электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотопроводимость твердого раствора p-GaAs0.94Sb0.06 легированного германием

Аллен Т.Ю., Полянская Т.А., Копылов А.А., Шакмаев А.А.

Аллен Т.Ю., Полянская Т.А., Копылов А.А., Шакмаев А.А. Фотопроводимость твердого раствора p-GaAs0.94Sb0.06 легированного германием // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 475

Аннотация Обнаружен новый механизм примесной фотопроводимости в полупроводниках. Форма спектров длинноволновой фотопроводимости, наблюдавшихся в p-GaAs0.94Sb0.06:Ge, удовлетворительно объясняется резонансной ионизацией примесных уровней фононами, возбужденными при поглощении инфракрасного излучения.