Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электрофизические свойства твердых растворов p-GaAs1-xSbx, легированных германием

Аллен Т.Ю., Полянская Т.А.

Аллен Т.Ю., Полянская Т.А. Электрофизические свойства твердых растворов p-GaAs1-xSbx, легированных германием // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 587

Аннотация Были исследованы эпитаксиальные пленки p-GaAs1-xSbx, легированные Ge (x=0/0.1; NGe=0.01/ 10 ат% в жидкой фазе; концентрация дырок при комнатной температуре (0.06-40)· 1018 см-3 ), выращенные методом жидкофазной эпитаксии. Обнаружено, что при одной и той же концентрации Ge в жидкой фазе концентрация дырок в твердом растворе примерно в 2 раза больше, чем в GaAs, независимо от содержания Sb. Найдены энергия активации германиевого акцептора varepsilon1=(22±2) мэВ и критическая концентрация перехода металл--диэлектрик pc=(3.9±0.3)· 1018 см-3 для x=0.06.