Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут ядерных исследвоаний Национальной академии наук Украины, 252028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Рассеяние экситонов нафлуктуациях концентрации ипроекции спинов магнитных примесей вквантовых ямах вполумагнитных полупроводниках
Верцимаха А.В., Сугаков В.И.
Верцимаха А.В., Сугаков В.И. Рассеяние экситонов нафлуктуациях концентрации ипроекции спинов магнитных примесей вквантовых ямах вполумагнитных полупроводниках // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 632
Аннотация Рассмотрено рассеяние экситона на флуктуациях концентрации и ориентации спинов магнитных примесей и связанное с ним уширение экситонных полос в квантовой яме с полумагнитными барьерами CdMnTe/CdTe/CdMnTe. Найдено время релаксации как функции энергии экситона и толщины ямы. Время релаксации существенно зависит от магнитного поля, причем зависимость различна для экситонов, формирующих sigma+- и sigma--компоненты оптического перехода.
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален