Профиль » Публикация
Опубликовано
1997-00-00
ОрганизацияИнститут ядерных исследвоаний Национальной академии наук Украины, 252028 Киев, Украина
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Рассеяние экситонов нафлуктуациях концентрации ипроекции спинов магнитных примесей вквантовых ямах вполумагнитных полупроводниках
Верцимаха А.В., Сугаков В.И. Рассеяние экситонов нафлуктуациях концентрации ипроекции спинов магнитных примесей вквантовых ямах вполумагнитных полупроводниках // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 632
Аннотация
Рассмотрено рассеяние экситона на флуктуациях концентрации и ориентации спинов магнитных примесей и связанное с ним уширение экситонных полос в квантовой яме с полумагнитными барьерами CdMnTe/CdTe/CdMnTe. Найдено время релаксации как функции энергии экситона и толщины ямы. Время релаксации существенно зависит от магнитного поля, причем зависимость различна для экситонов, формирующих sigma+- и sigma--компоненты оптического перехода.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален