Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb

Андреев И.А., Куницына Е.В., Лантратов В.М., Львова Т.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П.

Андреев И.А., Куницына Е.В., Лантратов В.М., Львова Т.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb // ФТП, 1997, том 31, выпуск 6, Стр. 653

Аннотация Антимонид галлия и его твердые растворы широко применяются для создания оптоэлектронных приборов для спектрального диапазона 2/5 мкм. Однако высокая химическая активность поверхности приводит к высокой скорости роста собственного окисла и к деградации характеристик приборов на основе этих материалов. Нами проведено исследование пассивации поверхности GaSb и четверных соединений GaInAsSb и GaAlAsSb на его основе в водных растворах Na2S и (NH4)2S. Обнаружено, что при обработке в водных сульфидных растворах таких полупроводниковых материалов присутствует фаза травления. Нами изучено воздействие процесса обработки (тип и молярность раствора, продолжительность обработки) на скорость травления исследованных материалов. Основываясь на полученных результатах, мы определили оптимальные технологические условия пассивации фотодиодных меза-структур на основе GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb и было получено значительное снижение (в 5/ 10 раз) величины обратного темнового тока.