Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияСибирский физико-технический институт, 634050 Томск, Россия * Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Войцеховский А.В., Денисов Ю.А., Коханенко А.П., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Либерман В.Т., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г.

Войцеховский А.В., Денисов Ю.А., Коханенко А.П., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Либерман В.Т., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г. Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 774

Аннотация Приводятся результаты измерений времени жизни носителей заряда в эпитаксиальных структурах на основе узкозонного Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при импульсном возбуждении излучением на различных длинах волн. Показано, что в эпитаксиальных пленках p-типа проводимости время жизни определяется оже-механизмом рекомбинации в области температур, соответствующих примесной проводимости, а для эпитаксиальных пленок n-типа характерна рекомбинация через локальные центры.