Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 Организация* Государственный университет Молдовы, Кишинев, Молдова &#36; Государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Поляризационная фоточувствительность кремниевых солнечных элементов с просветляющим покрытием из смеси оксидов индия иолова

Ботнарюк В.М., Коваль А.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Симашкевич А.В., Шербан Д.А.

Ботнарюк В.М., Коваль А.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Симашкевич А.В., Шербан Д.А. Поляризационная фоточувствительность кремниевых солнечных элементов с просветляющим покрытием из смеси оксидов индия иолова // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 800

Аннотация Изучены фотоэлектрические свойства солнечных элементов ITO/n-Si при наклонном падении линейно-поляризованного света на солнечные элементы со стороныITO. Обнаружены поляризационная фоточувствительность и возрастание относительной квантовой эффективности фотопреобразования в результате снижения потерь на отражение. Коэффициент наведенного фотоплеохроизма PI увеличивается с увеличением угла паденияtheta в соответствии с законом PI~theta2. Изучена поляризационная фоточувствительность солнечных элементов в зависимости от энергии фотонов между ширинами запрещенных зон двух контактирующих материалов. Результаты показывают, что исследованные солнечные элементы могут быть использованы как селективные поляриметрические фотосенсоры.