Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электронный транспорт в гетеропереходе IIтипа GaInAsSb/p-InAs сразличным уровнем легирования твердого раствора

Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Сиповская М.А., Яковлев Ю.П.

Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Сиповская М.А., Яковлев Ю.П. Электронный транспорт в гетеропереходе IIтипа GaInAsSb/p-InAs сразличным уровнем легирования твердого раствора // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 897

Аннотация Исследованы гальваномагнитные явления и фотопроводимость в разьединенных гетеропереходах IIтипа GaInAsSb/p-InAs с различным уровнем легирования твердого раствора донорной (Te) или акцепторной (Zn) примесями. Установлено, что на гетерогранице в таких структурах имеется электронный канал, который определяет гальваномагнитные эффекты в широком диапазоне уровней легирования. Обнаружено резкое уменьшение холловской подвижности в исследуемых гетероструктурах при высоком уровне легирования эпитаксиального слоя акцепторной примесью. Наблюдаемый эффект обусловлен истощением электронного канала за счет локализации носителей тока в ямах потенциального рельефа на гетерогранице.