Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 262650 Киев, Украина *Институт химии поверхности Национальной академии наук Украины, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Эпитаксиальные слои и сверхрешетки Si / Si1-xGex. Получение и структурные характеристики

Сизов Ф.Ф., Козырев Ю.Н., Кладько В.П., Пляцко С.В., Огенко В.М., Шевляков А.П.

Сизов Ф.Ф., Козырев Ю.Н., Кладько В.П., Пляцко С.В., Огенко В.М., Шевляков А.П. Эпитаксиальные слои и сверхрешетки Si / Si1-xGex. Получение и структурные характеристики // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 922

Аннотация Методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках с ориентацией (100) и (111) получены эпитаксиальные слои Si, Ge, Si1-xGex и сверхрешетки Si/Si1-xGex. Изучены процессы роста указанных структур и методами рентгеновской дифракции и оже-спектроскопии исследованы их структурные характеристики и химический состав. В частности показано, что при рассмотренных режимах получения сверхрешеток Si/Si1-xGex могут быть получены структурно совершенные напряженные сверхрешетки с числом сателлитов вплоть до ±5порядка.