Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, 690041 Владивосток, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Собственная фотопроводимость в тонких эпитаксиальных пленках дисилицида хрома

Галкин Н.Г., Конченко А.В., Маслов А.М.

Галкин Н.Г., Конченко А.В., Маслов А.М. Собственная фотопроводимость в тонких эпитаксиальных пленках дисилицида хрома // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 969

Аннотация Исследованы спектральная и интегральная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках дисилицида хрома на кремнии толщиной1000 Angstrem в диапазоне энергий 0.5/1.6 эВ при комнатной температуре. Обнаружено, что максимум фотопроводимости наблюдается при энергии фотонов1.23 эВ, что соответствует области третьего межзонного перехода в дисилициде хрома с энергией 0.9/0.95 эВ. Пронализированы возможные причины слабого сигнала фотопроводимости в области края основного поглощения.