Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 103907 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование структурных свойств слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии принизких температурах

Галиев Г.Б., Имамов Р.М., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Мухамеджанов Э.Х., Пашаев Э.М., Чеглаков В.Б.

Галиев Г.Б., Имамов Р.М., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Мухамеджанов Э.Х., Пашаев Э.М., Чеглаков В.Б. Исследование структурных свойств слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии принизких температурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1168

Аннотация Представлены результаты исследования структурного совершенства эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста (240--300oC) и разных соотношениях потоков As и Ga (от 3 до 13). На кривых дифракционного отражения выявлены характерные особенности для указанных образцов до и после отжига в диапазоне температур от 300 до 800oC. Выдвинуты предположения, объясняющие эти особенности. Установлен диапазон изменения соотношения потоков мышьяка и галлия, при котором происходит низкотемпературный рост в условиях, близких к стехиометрическому.