Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипного гетероперехода Pb0.93Sn0.07Se/PbSe

Гаврикова Т.А., Зыков В.А.

Гаврикова Т.А., Зыков В.А. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипного гетероперехода Pb0.93Sn0.07Se/PbSe // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1342

Аннотация Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства резких анизотипных гетеропереходов p-Pb0.93Sn0.07Se/n-PbSe с концентрациями дырок в кристалле твердого раствора 1·1016/2·1018 см-3 и электронов в пленке PbSe 1·1017/5· 1018 см-3, изготовленных методом вакуумной эпитаксии пленки PbSe на монокристалл твердого раствора. Определены условия приготовления резких анизотипных гетеропереходов с минимальной плотностью состояний на металлургической границе (4· 1010см-2). Проанализированы зависимости сигнала фотоответа от концентрации носителей тока в базовых областях и особенности спектрального распределения фоточувствительности. Исследованы прямые и обратные вольт-амперные характеристики. В приближении модели идеального гетероперехода построена зонная диаграмма.