Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Красчету высоты барьера Шоттки наначальной стадии формирования контакта &lt;карбид кремния&gt;--&lt;субмонослойная пленка металла&gt;

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Тихонов С.К.

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Тихонов С.К. Красчету высоты барьера Шоттки наначальной стадии формирования контакта <карбид кремния>--<субмонослойная пленка металла> // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 68

Аннотация В рамках обобщенной модели Андерсона--Халдейна для плотности состояний полупроводника рассчитано положение локальных и квазилокальных состояний металлических атомов (щелочные металлы, металлы IIIгруппы и группы меди), адсорбированный на поверхности 6H-SiC и их заполнение. Результаты расчетов сопоставляются с экспериментальными данными по барьерам Шоттки.