Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Температурные аномалии работы выхода и релаксация поверхностной проводимости n-Si в присутствии структурных дефектов

Бочкарева Н.И., Клочков А.В.

Бочкарева Н.И., Клочков А.В. Температурные аномалии работы выхода и релаксация поверхностной проводимости n-Si в присутствии структурных дефектов // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 82

Аннотация Изучено температурное поведение высокочастотной проводимости поверхностных электронных каналов в диодах Шоттки на основе высокоомного p-Si, содержащего приповерхностные окислительные дефекты упаковки. Показано, что обратимые температурные изменения поверхностного изгиба зон и работы выхода Si в области температур 80/300 K имеют ступенчатый характер. Сделан вывод о том, что при охлаждении от 180 до 80 K поверхностная концентрация свободных электронов растет при характерных для упорядочения диполей воды температурах. Эти эффекты связываются со структурированием адсорбированной на границе Si--SiO2 воды и с упорядоченной ориентацией диполей воды на поверхности при вымораживании их вращательной подвижности.