Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияНижегородский государстенный университет им. Н.И.Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние ионного облучения пленок аморфного кремния наихкристаллизацию

Бахтина Н.В., Машин А.И., Павлов А.П., Питиримова Е.А.

Бахтина Н.В., Машин А.И., Павлов А.П., Питиримова Е.А. Влияние ионного облучения пленок аморфного кремния наихкристаллизацию // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 349

Аннотация Методами трансмиссионной электронной микроскопии и электронографии исследовано изменение структуры имплантированных ионами инертных газов и химически активной примеси аморфных пленок Si. Показано, что пленки Si, облученные ионами Ar+ и P+ с дозами выше 7· 1015 см-2 не кристаллизуются вплоть до температуры 680oC, что связано с радиационным образованием термостабильных вакансионных комплексов. Установлено, что кристаллизация пленок Si после внедрения меньших доз ионов P+ приводит к ускорению роста зерен в них по сравнению с необлученными пленками. Обсуждается модель механизма влияния ионного облучения на кристаллизацию пленок Si.