Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194121 Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фоточувствительность гетероструктур пористый кремний--слоистые полупроводники A IIIB VI

Лебедев А.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.

Лебедев А.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фоточувствительность гетероструктур пористый кремний--слоистые полупроводники A IIIB VI // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 353

Аннотация Выпрямляющие гетеропереходы с фоточувствительностью 1--5 В/Вт при T=300 K получены образованием оптических контактов свободного пористого кремния со слоистыми полупроводниками InSe и GaSe. Широкополосный фотовольтаический эффект получен при освещении этих гетеропереходов со стороны пластины свободного пористого кремния. Длинноволновый край фоточувствительности этих устройств определяется прямыми переходами в InSe или GaSe соответственно. Сделано заключение, что гетеропереходы на основе пластин свободного пористого кремния могут применяться как широкополосные фотопреобразователи.