Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияCибирский физико-технический институт им. В.Д.Кузнецова, 634050 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние неоднородного распределения радиационных дефектов вGaAs наспектры DLTS

Новиков В.А., Пешев В.В.

Новиков В.А., Пешев В.В. Влияние неоднородного распределения радиационных дефектов вGaAs наспектры DLTS // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 411

Аннотация Сделана попытка связать происхождение U-полосы в спектре DLTS GaAs, облученного нейтронами импульсного реактора, с известными дефектами P2 и P3, локализованными вблизи областей разупорядочения. Полагалось, что форма и положение пиков P2 и P3 в спектрах DLTS изменены в результате влияния электрического поля областей разупорядочения на скорость эмиссии электронов с уровней дефектов. Выполнен расчет спектров DLTS для P2- и P3-центров, расположенных в областях с внутренними электрическими полями. Сопоставление суммарного расчетного спектра для P2- и P3-центров с U-полосой показало удовлетворительное согласие расчета с экспериментом.